Intel, teknoloji dünyasında sürat kesmeden ilerliyor. Şirket, çip paketleme sanayisindeki gelişmelere paralel olarak 2030 yılına kadar bir trilyon transistöre sahip bir çip üretmeyi hedefliyor. Bu, Moore Yasası’na nazaran her yıl transistör sayısının iki katına çıkması manasına geliyor. Fakat vakitle bu süreç yavaşladı ve transistör sayısının iki katına çıkması üç yıla kadar uzadı.
Intel CEO’su Pat Gelsinger, Intel’in bu tempoyu 2031’e kadar aşabileceğini doğruluyor. Gelsinger, Moore Yasası’nın suratını aşmayı ve transistör sayısını artırmak için “Süper Moore Yasası” ya da “Moore Yasası 2.0” kavramını ileri sürüyor. Bu süreçte TSMC ve Samsung Foundry’nin, Intel’in 2nm düğümünde inşa edilecek yeni çiplerinde kıymetli bir rol oynayacağı belirtiliyor. Hatta Qualcomm’un da TSMC ve Samsung Foundry’ye geçiş yapacağı söyleniyor.
Intel, 2030’a trilyon transistörlü çiple gaye koyuyor
Gelsinger, yaptığı bir konuşmada, “Sanırım Moore Maddesi’nin sonunu üç-dört on yıldır ilan ediyoruz,” dedi ve ekledi, “Artık Moore Yasası’nın altın çağında değiliz, artık çok daha güç, bu yüzden artık tesirli bir biçimde her üç yılda bir iki katına çıkıyoruz, yani muhakkak bir yavaşlama gördük.”
Intel’in ilerlemesiyle birlikte, 2030 yılına kadar bir çipte 1 trilyon transistör elde etmesi mümkün olabilir. Intel yetkilileri daha evvel de bu çeşit büyük bir gelişmeyi lisana getirmişlerdi. Intel’in Teknoloji Geliştirme Genel Müdürü ve İcra Şurası Lider Yardımcısı Ann Kelleher, “Moore Yasası ilerlerken, klasik ölçeklendirme yavaşlıyor,” dedi.
Intel’in bir çipte trilyon transistör amacına ulaşmasına yardımcı olacak birkaç farklı teknoloji var. Şirket, bir çipe daha fazla transistör sığdırmak için gelişmiş paketleme ve heterojen entegrasyon hedefliyor. Ayrıyeten, şirket 3nm üretimi için Samsung’un kullandığı RibbonFET’i kullanmayı planlıyor. Bu, tüm dört yüzeyi kaplayarak akım kaçağını azaltıyor. Bir öbür yol ise PowerVIA Güç Teslimi aracılığıyla, güç kaynağı çizgilerini çipin ardına taşıyarak performansı uygunlaştırmak.
Ancak, bu ilerlemeler Intel’e değerliye mal olacak. Gelsinger, bu mevzuda şunları söyledi: “Yedi yahut sekiz yıl evvel çağdaş bir fabrika yaklaşık 10 milyar dolara mal olurdu,” dedi.
Intel CEO’su Pat Gelsinger, Intel’in bu tempoyu 2031’e kadar aşabileceğini doğruluyor. Gelsinger, Moore Yasası’nın suratını aşmayı ve transistör sayısını artırmak için “Süper Moore Yasası” ya da “Moore Yasası 2.0” kavramını ileri sürüyor. Bu süreçte TSMC ve Samsung Foundry’nin, Intel’in 2nm düğümünde inşa edilecek yeni çiplerinde kıymetli bir rol oynayacağı belirtiliyor. Hatta Qualcomm’un da TSMC ve Samsung Foundry’ye geçiş yapacağı söyleniyor.
Intel, 2030’a trilyon transistörlü çiple gaye koyuyor
Gelsinger, yaptığı bir konuşmada, “Sanırım Moore Maddesi’nin sonunu üç-dört on yıldır ilan ediyoruz,” dedi ve ekledi, “Artık Moore Yasası’nın altın çağında değiliz, artık çok daha güç, bu yüzden artık tesirli bir biçimde her üç yılda bir iki katına çıkıyoruz, yani muhakkak bir yavaşlama gördük.”
Intel’in ilerlemesiyle birlikte, 2030 yılına kadar bir çipte 1 trilyon transistör elde etmesi mümkün olabilir. Intel yetkilileri daha evvel de bu çeşit büyük bir gelişmeyi lisana getirmişlerdi. Intel’in Teknoloji Geliştirme Genel Müdürü ve İcra Şurası Lider Yardımcısı Ann Kelleher, “Moore Yasası ilerlerken, klasik ölçeklendirme yavaşlıyor,” dedi.
Intel’in bir çipte trilyon transistör amacına ulaşmasına yardımcı olacak birkaç farklı teknoloji var. Şirket, bir çipe daha fazla transistör sığdırmak için gelişmiş paketleme ve heterojen entegrasyon hedefliyor. Ayrıyeten, şirket 3nm üretimi için Samsung’un kullandığı RibbonFET’i kullanmayı planlıyor. Bu, tüm dört yüzeyi kaplayarak akım kaçağını azaltıyor. Bir öbür yol ise PowerVIA Güç Teslimi aracılığıyla, güç kaynağı çizgilerini çipin ardına taşıyarak performansı uygunlaştırmak.
Ancak, bu ilerlemeler Intel’e değerliye mal olacak. Gelsinger, bu mevzuda şunları söyledi: “Yedi yahut sekiz yıl evvel çağdaş bir fabrika yaklaşık 10 milyar dolara mal olurdu,” dedi.